| 设为主页 | 保存桌面 | 手机版 | 二维码

上海音特电子有限公司

自恢复保险丝， 瞬态抑制二极管， 半导体放电管， 固体放电管， 气体放电管， 陶瓷气体...

产品分类
  • 暂无分类
站内搜索
 
友情链接
  • 暂无链接
您当前的位置：首页 » 供应产品 » 半导体放电管
半导体放电管
点击图片查看原图
产品： 浏览次数：70半导体放电管 
单价： 面议
最小起订量：
供货总量：
发货期限： 自买家付款之日起 天内发货
有效期至： 长期有效
最后更新： 2017-09-15 15:21
  询价
详细信息

“半导体放电管”参数说明

极性： 双极性 封装及内部结构： 贴片式/组件式
用途： 各种电路 型号： P0080SAL
规格： 贴片 商标： YINT
包装： 盘 尺寸： Smb
产量： 10000只/月

“半导体放电管”详细介绍

　　半导体放电管器件专门用来防止敏感的电信设备、POS终端、基站设备、网络视频等设备出现由闪电、电源接触和电源感应引起的过压故障危险。它们具有高电气浪涌抑制能力，有助于防止瞬间故障和断开状态的高阻抗，使系统的正常运行过程变得实际上更加透明。
　　
　　广泛应用在：网络通迅及消费类电子产品、高速数据传输设备（T1／E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC等）上。
　　
　　产品特点：
　　精确导通，快速响应。
　　双向对称，可靠性高。
　　
　　BS0060M，BS0300M，BS0640M，BS0720M，BS0900M，BS1100M，BS1300M，BS1800M，BS2300M，BS2600M，BS3100M，BS3500M，BS4200M
　　
　　BS0060K，BS0300K，BS0640K，BS0720K，BS0900K，BS1100K，BS1300K，BS1800K，BS2300K，BS2600k，BS3100K，BS3500K，BS4200K　

“半导体放电管”其他说明

参数描述     
   parameter Description		 最高关断状态电压Repetitive peak Off-state Voltage 冲击击穿电压Impulse
spark-over voltage		 浪涌耐量Surge Ratings 10*1000S 关断状态漏流Off-state current 导通最小电流Minimum Holding current dI/dt 参考电容
Capacitance
@50V.1MHz
条件/unit VDM VBo@IBo Ipp-1 IDM IH Min C
型号 type 环保 V V A µA mA PF
INT.P0080SA  L 6 25 50 5 50 150
INT.P0220 SA  L 15 32 50 5 50 150
INT.P0300 SA  L 25 40 50 5 50 140
INT.P0640 SA L 58 77 50 5 150 60
INT.P0720 SA L 65 88 50 5 150 60
INT.P0900 SA L 75 98 50 5 150 55
INT.P1100 SA L 90 130 50 5 150 50
INT.P1300 SA L 120 160 50 5 150 45
INT.P1500 SA L 140 180 50 5 150 40
INT.P1800 SA L 160 220 50 5 150 35
INT.P2100 SA L 180 240 50 5 150 35
INT.P2300SA L 190 260 50 5 150 35
INT.P2600 SA L 220 300 50 5 150 35
INT.P3100 SA L 275 350 50 5 150 35
INT.P3500 SA L 320 400 50 5 150 35
INT.P0080SB  L 6 25 80 5 50 150
INT.P0220 SB  L 15 32 80 5 50 150
INT.P0300 SB  L 25 40 80 5 50 140
INT.P0640 SB L 58 77 80 5 150 60
INT.P0720 SB L 65 88 80 5 150 75
INT.P0900 SB L 75 98 80 5 150 70
INT.P1100 SB L 90 130 80 5 150 70
INT.P1300 SB L 120 160 80 5 150 60
INT.P1500 SB L 140 180 80 5 150 55
INT.P1800 SB L 160 220 80 5 150 50
INT.P2100 SB L 180 240 80 5 150 35
INT.P2300SB L 190 260 80 5 150 50
INT.P2600 SB L 220 300 80 5 150 45
INT.P3100 SB L 275 350 80 5 150 45
INT.P3500 SB L 320 400 80 5 150 40
INT.P0080SC  L 6 25 100 5 50 260
INT.P0220 SC  L 15 32 100 5 50 240
INT.P0300 SC  L 25 40 100 5 50 250
INT.P0640 SC L 58 77 100 5 150 155
参数描述     
   parameter Description		 最高关断状态电压Repetitive peak Off-state Voltage 冲击击穿电压Impulse
spark-over voltage		 浪涌耐量Surge Ratings 10*1000S 关断状态漏流Off-state current 导通最小电流Minimum Holding current dI/dt 参考电容
Capacitance
@50V.1MHz
条件/unit VDM VBo@IBo Ipp-1 IDM IH Min C
型号 type 环保 V V A µA mA PF
INT.P0720 SC L 65 88 100 5 150 150
INT.P0900 SC L 75 98 100 5 150 140
INT.P1100 SC L 90 130 100 5 150 115
INT.P1300 SC L 120 160 100 5 150 105
INT.P1500 SC L 140 180 100 5 150 95
INT.P1800 SC L 160 220 100 5 150 90
INT.P2100 SC L 180 240 100 5 150 90
INT.P2300SC L 190 260 100 5 150 80
INT.P2600 SC L 220 300 100 5 150 80
INT.P3100 SC L 275 350 100 5 150 70
INT.P3500 SC L 320 400 100 5 150 65
注释:所有电气参数均在25度下测试
DI/Dt :导通电流临界上升速度(最大2 X 10µ波形)
IDM :关断状态最大漏电流@VDM, IDM=5µA.
L : 为无铅产品  Lead-free   
INT半导体放电管 对应竞争对手:TVA****SA/SB/SC-L TVB****SA/SB/SC-L系列.
询价单
共0条  相关评论